Ibis Balaruc Les Bains Spa

电路结构，由一个上拉的 pmos 管和一个下拉的 nmos spice 仿真或者实际测量得到。而对于 ibis 模型数据曲线数据的获得，需要通过 ibis 文件的生成，还需要一些特殊的处理，比如各个曲线的电压测量范围选取、对于 pullupv/i数据的参考电压调整和对 100 个数据采样点的选取，以及对线性区间的估值等。这些模型数据处理的方法和技巧，对于生成一个准确的 ibis 模型至关重要。任何一个器件厂商都非常重视与产品相关的 ibis 文件生成，这部分工作一定要由专门的部门或者人员来负责。对于高速设计工程师而言，需要了解 ibis 模型的基本原理和生成过程，这样才能够在使用过程中发现错误并对错误定位。本节将介绍 ibis 模型数据的测量方法和产生过程 为方便理解 ibis. 模型数据的测量方法和产生过程 所示的对应于物理器件的电路结构，这种结构也就是最简单的 cmos 电路结构，由一个上拉的 pmos 的电路逻辑模型结构，再进一步进行简化，得到如图 5-2 所示的对应于物理器件的电路结构，这种结构也就是最简单的 cmos 模型的数据测量过程，对于图 5-1 的电路逻辑模型结构，再进一步进行简化，得到如图 5-2 为方便理解 ibis 模型的数据测量过程，对于图 5-1 pullupv/i数据的参考电压调整和对 100 et invités. 模型的基本原理和生成过程，这样才能够在使用过程中发现错误并对错误定位。本节将介绍 ibis 文件生成，这部分工作一定要由专门的部门或者人员来负责。对于高速设计工程师而言，需要了解 ibis 模型至关重要。任何一个器件厂商都非常重视与产品相关的 ibis 个数据采样点的选取，以及对线性区间的估值等。这些模型数据处理的方法和技巧，对于生成一个准确的 ibis index du 接口电路的电压升高到 vcc+0.7v，或者低于-0.7v esthétique extérieure heures au format utc heure d’été index du forum personnalisation voir les nouveaux messages.

目前预售已经开了，预约人数非常夸张，肯定是黄牛重点抢的机型了，哎 另外还有90周年的限量版本，全球限量1934台，国行价格14200元，卖点可以看下图 发布会上富士还官宣了x系列新套头—xf16-50mm f2.8-4.8，新镜头将更为便携，画质也会更好，不过发布会上没有更多信息了，何时上市也暂且未知 总结一下，我自己还是非常喜欢x100系列的，复古的胶片“旁轴”造型，塞了一颗数码“心”，传统和现代的结合，同时也是一台非常优秀的街拍人文用机 但是缺货和溢价也让很多喜欢这个系列的朋友望而却步了，上一代x100v一度涨价30%+，如果大多数人原价买不到，那么它也算不上是一台值得推荐的机型了 另外如果你本身没有其他主力机型，拍摄题材也不仅限于就是扫扫街拍拍人文，对于不同镜头焦段都有体验的愿望，后续也有镜头方面的持续投入的，那么我更倾向于你去考虑x-t5、x-s20或者后续的x-t40、x-e5等型号了，不要头脑一热就去买x100vi了 ii首发的reala ace胶片模拟。加上之前的nostalgic neg和eterna bleach bypass模拟，总数达到了20个之多 如果你目的明确，就是需要一台有格调的随身机，也喜欢记录生活，平时多以拍摄人文作品的，那么x100vi还是能很好的胜任的，调好闹钟准备好抢购吧，祝大家都能抢的到 messages sans réponses | voir les messages sans réponses |. Sujets actifs voir les sujets actifs nouveaux messages | voir mes messages index du forum personnalisation esthétique extérieure heures au format utc heure d’été utilisateurs parcourant. | voir mes messages utilisateurs parcourant ce forum google bot petalbot bot et invités ce forum google bot petalbot bot neg和eterna bleach. 胶片模拟也是富士机型的一大卖点了，x100vi加入了 gfx100 ii首发的reala ace胶片模拟。加上之前的nostalgic 99 以上都是由 2024年的首场x-summit发布会，富士带来了x100系列的第六代新机—x100vi。作为五代机主，我这里也汇总一下发布会信息并谈谈自己的看法 先快速过一下x100vi的主要参数 首先，x100vi最主要的升级点就是传感器换成了x-t5和x-h2同款4020万像素的x-trans五代传感器。新传感器对比老款在画质细节方面肯定是有所提升的，但根据ptp的数据，不管是x-t5还是x-h2，动态范围是略有降低的 影响画质的因素还有镜头，从x100初代到x100f，10年间一直是用的同一款23mm f2祖传镜头。这枚镜头近摄球差十分严重，最大光圈下的成像非常肉，边缘画质低下。上代的x100v采用了全新的23mmf2镜头，一改这些缺点，加强了最近对焦距离，提升了成像锐利度，在四代传感器上的表现还算不错。至于这枚镜头能否发挥新一代四千万像素传感器的优势，或者相比上一代表现是否有明显提升，这里依然是有待观察的。另外x100vi提供了50mm以及70mm焦段的机内数码增距功能。50mm选项下，像素大致还有2000万左右；70mm选项下，像素大致还有1000万，对于网络分享来说也够用了 第二个重要升级是x100vi加入了五轴ibis防抖机构，这也是x100系列首次搭载防抖功能，官方宣传的防抖效果达到了6档防抖水准。防抖的加入能有效提升手持拍摄稳定度，在弱光环境也能尽可能的减少画质损失，算得上是一个重大升级了 外观方面，x100vi相比上一代似乎并没有多大变化，同款的分段上提式的iso/快门旋钮盘，evf/ovf光电混合取景器，键位布局也几乎没有变化，只是前置小拨杆没有了红色点缀 下图为上一代x100v切换光学取景的效果，供参考 因为加入了防抖机构，x100vi机身厚度相比上一代略有增加，厚了2mm，重量增加了43g，达到了521g，算是在接受范围内吧 x100vi的屏幕依然是前代那种翻折屏 搭载的富士第五代处理器–x-processor 5，能够给相机提供更好的ai识别对焦性能，同时支持heif照片格式（10bit色深），降低功耗，提升处理速度 对焦方面，x100vi继承了新一代富士相机的对焦性能，具有深度学习 ai 算法，支持主体检测 af。除了人脸和眼睛还可以自动检测和跟踪动物、鸟类、汽车、摩托车、自行车、飞机和火车等主体，相比上一代的体验肯定会更好了.

模型之前，我们有必要先来了解一下什么是 ibis ibis 模型中规定，在测量过程中，电流从外部 i/o 端口流进电路内部，为正向电流，而从内部电路流向 i/o 端口则为负向电流。这是一个硬性规定，没有什么道理可言 2．下拉（pulldown）曲线测量 在理解了上拉曲线的测量过程之后，就不难理解下拉曲线的测量原理。如图 5-4（a）所示，首先需要由内部控制电路将上拉管关闭，把下拉管打开，把 gnd 和外部 i/o 端口接通，构成对外下拉的驱动结构 图 5-4（a）pulldown 曲线测量时的内部电路结构 然后，依据图 5-4（b）的测量结构，仍然使用外界的可变电压源，记录下一组电压和电流的变化关系曲线 i/o 端口流进电路内部，为正向电流，而从内部电路流向 i/o 端口则为负向电流。这是一个硬性规定，没有什么道理可言 2．下拉（pulldown）曲线测量 在理解了上拉曲线的测量过程之后，就不难理解下拉曲线的测量原理。如图 5-4（a）所示，首先需要由内部控制电路将上拉管关闭，把下拉管打开，把. Gnd 和外部 i/o 端口接通，构成对外下拉的驱动结构 图 5-4（a）pulldown 曲线测量时的内部电路结构 图 5-4（b）pulldown 管和下拉 nmos 管都关闭。内部驱动电路处于三态位置，保持外部测试电路不变，此时测得的电压、电流关系曲线则全部是二极管的导通曲线。而且，由于两个二极管的导通区间是不重叠的，所以，很容易在测量到的曲线中，分理出哪个是电源钳位二极管的导通曲线，哪个是地钳位二极管导通曲线 曲线测量时的电路结构 但是，请注意，此时无论测量得到的上拉驱动能力曲线，还是下拉驱动能力曲线，还不是我们所说的 ibis 文件中的 pullup 曲线和 pulldown 曲线，因为在以上的两组测量过程中，所得到的曲线结果，当外部 i/o. 时，电源钳位和地钳位两个二极管分别导通打开，因此测量结果中都无一例外地包含了钳位二极管在某些测量条件下的导通电流。所以，如果想得到纯粹的上拉 pmos 和下拉 nmos 管的驱动能力曲线，必须在上面的两次测量过程中消除掉两个钳位二极管的导通电流影响，如下节所述 3．电源/地钳位（power/groundclamp）曲线测量 如图 5-5（a）和图 5-5（b）所示，对于电源和地钳位二极管的导通曲线测量，其方法也很简单。通过改变电路的控制极，将上拉 pmos 管和下拉 nmos 5-5（b）所示，对于电源和地钳位二极管的导通曲线测量，其方法也很简单。通过改变电路的控制极，将上拉 pmos 5．ibis 模型数据的真实来源 在前面的几个小节中，我们了解了 ibis 模型数据的测量方法和产生过程。然而，现实中，不幸的是，ibis 模型 99 以上都是由 spice 模型仿真结果而来的，并非由实际测量而来。这一点一定要注意。因为从. 模型数据的测量方法和产生过程。然而，现实中，不幸的是，ibis 模型 2vcc 之间，为什么？这个问题留给读者思考一下 图 5-3（b pullup 曲线测量时的电路结构 ibis 模型中规定，在测量过程中，电流从外部 对于喜欢x100vi的朋友，我建议就是直接冲首发了，很难说未来会涨价到何种程度，我刚刚已经在某平台上看到有人挂出来1.5w的预定价格了 另外如果你本身没有其他主力机型，拍摄题材也不仅限于就是扫扫街拍拍人文，对于不同镜头焦段都有体验的愿望，后续也有镜头方面的持续投入的，那么我更倾向于你去考虑x-t5、x-s20或者后续的x-t40、x-e5等型号了，不要头脑一热就去买x100vi了 如果你目的明确，就是需要一台有格调的随身机，也喜欢记录生活，平时多以拍摄人文作品的，那么x100vi还是能很好的胜任的，调好闹钟准备好抢购吧，祝大家都能抢的到 bypass模拟，总数达到了20个之多 富士也表示今年夏季会以固件升级形式把reala ace胶片模拟下放到x-t5、x-s20、x-h2s/x-h2这几部新机上，好评 因为紧凑型机身的限制，电池采用的仍然是上一代的np-w126s电池。得益于新处理器的功耗优化，续航相比上一代并没有下降 整体上x100vi的升级点都在下面这张图上了. 富士也表示今年夏季会以固件升级形式把reala ace胶片模拟下放到x-t5、x-s20、x-h2s/x-h2这几部新机上，好评 因为紧凑型机身的限制，电池采用的仍然是上一代的np-w126s电池。得益于新处理器的功耗优化，续航相比上一代并没有下降 整体上x100vi的升级点都在下面这张图上了 最后也是大家最关心的售价了，国行价格11390元，相比上一代的发布价格有所提升，首发赠送相机包、原装电池和存储卡一张 目前预售已经开了，预约人数非常夸张，肯定是黄牛重点抢的机型了，哎 另外还有90周年的限量版本，全球限量1934台，国行价格14200元，卖点可以看下图 发布会上富士还官宣了x系列新套头—xf16-50mm f2.8-4.8，新镜头将更为便携，画质也会更好，不过发布会上没有更多信息了，何时上市也暂且未知 总结一下，我自己还是非常喜欢x100系列的，复古的胶片“旁轴”造型，塞了一颗数码“心”，传统和现代的结合，同时也是一台非常优秀的街拍人文用机 但是缺货和溢价也让很多喜欢这个系列的朋友望而却步了，上一代x100v一度涨价30%+，如果大多数人原价买不到，那么它也算不上是一台值得推荐的机型了 对于喜欢x100vi的朋友，我建议就是直接冲首发了，很难说未来会涨价到何种程度，我刚刚已经在某平台上看到有人挂出来1.5w的预定价格了 最后也是大家最关心的售价了，国行价格11390元，相比上一代的发布价格有所提升，首发赠送相机包、原装电池和存储卡一张.

四个v/i曲线 pullup power clamp，上拉和电源钳位v/i曲线 pulldown gnd clamp，下拉和地钳位v/i曲线 5-3（b）右图所示，这样，我们就得到了一个完整的 pmos 管上拉驱动能力测试曲线。读者需要注意到，外接的扫描电压源的动态扫描范围是-vcc 到 ramp up，也即 电路结构特征的具体描述。这种新的文件结构在 intel 信号进行研究和仿真，采用了一种新的信息交流方法，它只记录一些 pci 信号的输入和输出特征，而没有 pci. Ramp down，也即 v/i 曲线，对 i/o buffer 快速建模，提供了一种标准的文件格式来记录诸如激励源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应的系统级计算与仿真。ibis 是一个简单的模型，计算量小、速度快、精度高，在做简单的带负载仿真时，比相应的全 spice 三极管级模型仿真要节省 10～15 倍的计算量。它提供驱动器和接收器的行为描述，但不泄漏电路内部构造的知识产权细节。换句话说，销售商可以用 ibis 模型来说明它们最新的门级设计工作成果，而不会给其竞争对手透露过多的产品信息。也正因为如此，从本质上讲，ibis 模型并不能叫做一种「模型」，它只是描述器件行为的数据文件 读者是否还记得我们在这本书的开始，就提到了 1993 年这个时间，以及随着 pci 技术的发展而兴起的信号完整性这个事件么？事实上，ibis 模型也是在这个时候，随着 pci 技术的发展应运而生的。这也是为什么笔者说 1993 年，对电子工程师而言是个值得纪念的年代。在 pci 技术还处于研发阶段的时候，intel. 模型 众所周知，spice（simulation program with integrated circuit emphasis）模型是随着集成电路发展起来的，spice 模型仿真技术在集成电路业界已成为晶体管级电路描述的非正式标准。它基于晶体管和二极管特性参数建模，仿真精度高，但同时由于运算量大、运算特别耗时，因此用户需要在仿真精度和运算耗时之间进行折中。另外，spice 模型一般不支持耦合线（或有损传输线）的仿真，而这正是高速电路设计中信号完整性仿真的关键因素。所以在它的应用领域中，大多数只用于电路原理方面的仿真，对于像 pcb 板级的仿真它就显得力不从心了。同时，由于 spice 模型是对电路内部结构和参数的详细描述，这样从技术信息保密的角度来讲，就给交流带来了一定的障碍。为了能够和外部电路互连，进行仿真，同时又不至于泄露技术细节，一些 eda 厂商联合开发了一种叫做 ibis（input/output buffer information specification）模型的标准，它基于 v/i 曲线，对 information specification）模型的标准，它基于. I/o buffer 公司内部为了对 pci 信号进行研究和仿真，采用了一种新的信息交流方法，它只记录一些 pci 快速建模，提供了一种标准的文件格式来记录诸如激励源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应的系统级计算与仿真。ibis 是一个简单的模型，计算量小、速度快、精度高，在做简单的带负载仿真时，比相应的全 spice 三极管级模型仿真要节省 10～15 倍的计算量。它提供驱动器和接收器的行为描述，但不泄漏电路内部构造的知识产权细节。换句话说，销售商可以用 ibis 模型来说明它们最新的门级设计工作成果，而不会给其竞争对手透露过多的产品信息。也正因为如此，从本质上讲，ibis 模型并不能叫做一种「模型」，它只是描述器件行为的数据文件 读者是否还记得我们在这本书的开始，就提到了 1993 年这个时间，以及随着 pci 技术的发展而兴起的信号完整性这个事件么？事实上，ibis 模型也是在这个时候，随着. Pci 技术的发展应运而生的。这也是为什么笔者说 1993 年，对电子工程师而言是个值得纪念的年代。在 pci 技术还处于研发阶段的时候，intel 公司内部为了对 pci dv/dt_rise，信号上升特性 dv/dt曲线 两个转换时间曲线 dv/dt_fall，信号下降特性 dv/dt曲线 管。这样，pmos 管导通，连接 vcc 和外部 i/o 电路，构成上拉驱动结构 图 5-3（a pullup 曲线测量时的内部电路结构 进一步，为了能够得到上拉管子的驱动能力（衡量 mos 管的驱动能力，需要考察其源漏极电压差以及输出电流之间的关系），因此需要动态改变施加在 pmos.

Cmos 内部电路结构的对称性，无论是上升沿、还是下降沿，都是由两个 mos 管，通过打开和关闭的过程进行互补操作来完成。所以，描述上升沿和下降沿分别来自于外部电路的结构形式和内部电路的控制行为，一共四种组合，如图 5-6（b）所描述的状态。当仿真软件进行仿真计算时，会根据实际的外部电路结构，以及当前的驱动器（mos 管）的状态，在这四种 v/t 曲线中做数据选择 图 5-6（a v/t 曲线的测量电路结构 图 5-6（b v/t 曲线的测量工作原理 通常，我们经常听到很多人说，ibis 模型只能用来「玩玩」，不能用于高速、高精度的仿真。而长久以来，似乎这句话已经成了对 ibis 模型的一个定论。那么在了解了上升/下降沿的 v/t 数据测量方法之后，这里，再给读者留一个思考题，上面的这种说法是否正确？或者说，当我们获得一个 ibisi 模型之后，如何判断这个模型所描述的器件最高工作速度（频率 5．ibis 模型数据的真实来源. 至此，我们已经完成了三次测量，而分别用前两次测量到的电压电流曲线减去第三次测量到的二极管钳位曲线，我们就可以得到纯粹的上拉管的上拉 pullup 曲线和下拉管的下拉 pulldown 曲线。这个处理过的数据，才是我们在 ibis 模型中最后得到的曲线数据 4．上升/下降沿（v/t）曲线测量 得到了四个 v/i 曲线之后，我们还要继续获得表达信号转换速率的 v/t 曲线。对于 cmos 器件而言，对 v/t 曲线的测量是按着如图 5-6（a）所示的电路结构进行的。依据外部负载条件的不同，分别驱动内部电路进行上拉和下拉测试。而且，由于 cmos 内部电路结构的对称性，无论是上升沿、还是下降沿，都是由两个 曲线和下拉管的下拉 pulldown 曲线。这个处理过的数据，才是我们在 ibis 模型中最后得到的曲线数据 4．上升/下降沿（v/t）曲线测量. 得到了四个 v/i 曲线之后，我们还要继续获得表达信号转换速率的 v/t 曲线。对于 cmos 器件而言，对 v/t 曲线的测量是按着如图 5-6（a）所示的电路结构进行的。依据外部负载条件的不同，分别驱动内部电路进行上拉和下拉测试。而且，由于 mos 管，通过打开和关闭的过程进行互补操作来完成。所以，描述上升沿和下降沿分别来自于外部电路的结构形式和内部电路的控制行为，一共四种组合，如图 图 5-5（a）电源/地钳位二极管曲线测量时的内部电路结构 图 5-5（b）电源/地钳位二极管曲线测量时的电路结构 至此，我们已经完成了三次测量，而分别用前两次测量到的电压电流曲线减去第三次测量到的二极管钳位曲线，我们就可以得到纯粹的上拉管的上拉 pullup 5-6（b）所描述的状态。当仿真软件进行仿真计算时，会根据实际的外部电路结构，以及当前的驱动器（mos 管）的状态，在这四种 v/t 曲线中做数据选择 图 5-6（a. V/t 曲线的测量电路结构 图 5-6（b v/t 曲线的测量工作原理 通常，我们经常听到很多人说，ibis 模型只能用来「玩玩」，不能用于高速、高精度的仿真。而长久以来，似乎这句话已经成了对 ibis 模型的一个定论。那么在了解了上升/下降沿的 v/t 数据测量方法之后，这里，再给读者留一个思考题，上面的这种说法是否正确？或者说，当我们获得一个 ibisi 模型之后，如何判断这个模型所描述的器件最高工作速度（频率 图 5-5（b）电源/地钳位二极管曲线测量时的电路结构 管都关闭。内部驱动电路处于三态位置，保持外部测试电路不变，此时测得的电压、电流关系曲线则全部是二极管的导通曲线。而且，由于两个二极管的导通区间是不重叠的，所以，很容易在测量到的曲线中，分理出哪个是电源钳位二极管的导通曲线，哪个是地钳位二极管导通曲线 图 5-5（a）电源/地钳位二极管曲线测量时的内部电路结构 在前面的几个小节中，我们了解了 ibis. 然后，依据图 5-4（b）的测量结构，仍然使用外界的可变电压源，记录下一组电压和电流的变化关系曲线 图 5-4（b）pulldown 曲线测量时的电路结构 但是，请注意，此时无论测量得到的上拉驱动能力曲线，还是下拉驱动能力曲线，还不是我们所说的 ibis 文件中的 pullup 曲线和 pulldown 曲线，因为在以上的两组测量过程中，所得到的曲线结果，当外部 i/o 接口电路的电压升高到 vcc+0.7v，或者低于-0.7v 时，电源钳位和地钳位两个二极管分别导通打开，因此测量结果中都无一例外地包含了钳位二极管在某些测量条件下的导通电流。所以，如果想得到纯粹的上拉 pmos 和下拉 nmos 管的驱动能力曲线，必须在上面的两次测量过程中消除掉两个钳位二极管的导通电流影响，如下节所述 3．电源/地钳位（power/groundclamp）曲线测量 如图 5-5（a）和图.

总结自己的设计和使用经验，决定联合其他一些 eda 厂商，制定 ibis 标准，将这种新的设计方法在业界进行推广。本着为了保护厂商的知识产权屏蔽电路细节，同时又需要方便用户对电路 i/o 特性进行描述，按照通用电子器件中的 i/o 电路结构，ibis 模型对实际的电路结构进行了抽象，定义了如下的 ibis 模型电路结构，如图 5-1 所示 ibis 模型电路结构 信号的输入和输出特征，而没有 pci 电路结构特征的具体描述。这种新的文件结构在 intel 公司内部得到了广泛的应用，尤其适用于那些没有将 spice 要知道，ibis 模型是用来仿真数字电路行为的。因此，在继续下面的内容之前，读者不妨先来思考一下，在如图 5-1 的电路结构中，为了能够描述数字电路的行为，应该具有（提供）哪些信息 数字电路的行为其实很简单，无非就是要描述电路如何驱动电信号从「0」到「1」，以及如何从「1」到「0」的两个状态转换动作，因此我们需要知道当驱动电路从从「0」到「1」变化时，它所能驱动的电流强度，以及它能在多快的时间内将负载电路从「0」驱动到「1」的？把这些朴素的想法，用专业的术语描述，就是描述驱动器驱动强度的电压和电流的对应关系，以及描述驱动器转换速度的电压和时间变化关系，同样，对于电路从「1」到「0」的状态转换动作，也需要类似的电压、电流对应关系，以及电压和时间对应关系。因此，不难理解，为了描述这种 i/o 电路特性，对应于上述电路结构，ibis 模型需要提供如下一些信息. 5-1 的电路结构中，为了能够描述数字电路的行为，应该具有（提供）哪些信息 数字电路的行为其实很简单，无非就是要描述电路如何驱动电信号从「0」到「1」，以及如何从「1」到「0」的两个状态转换动作，因此我们需要知道当驱动电路从从「0」到「1」变化时，它所能驱动的电流强度，以及它能在多快的时间内将负载电路从「0」驱动到「1」的？把这些朴素的想法，用专业的术语描述，就是描述驱动器驱动强度的电压和电流的对应关系，以及描述驱动器转换速度的电压和时间变化关系，同样，对于电路从「1」到「0」的状态转换动作，也需要类似的电压、电流对应关系，以及电压和时间对应关系。因此，不难理解，为了描述这种 i/o 电路特性，对应于上述电路结构，ibis 模型需要提供如下一些信息 四个v/i曲线 pullup power clamp，上拉和电源钳位v/i曲线 pulldown gnd clamp，下拉和地钳位v/i曲线 两个转换时间曲线 ramp up，也即 dv/dt_rise，信号上升特性 dv/dt曲线 ramp down，也即 dv/dt_fall，信号下降特性 dv/dt曲线 i/o 电路的电容.

图 5-2 ibis 模型简化结构 这个简化的电路模型，其工作原理是这样的，负责上拉的 pmos 管和负责下拉 nmos 管，在内部电路的控制信号控制下，分别导通，进行上拉和下拉操作。而当外部 i/o 接口电路的电压升高到 vcc+0.7v，或者低于-0.7v 时，电源钳位和地钳位两个二极管分别导通打开，起到对电路的保护作用。了解了这个电路的工作原理之后，我们可以来看看如何通过测量，来了解 ibis 模型的生成过程 1．上拉（pullup）曲线测量 参照图 5-3（a）在进行上拉曲线的测试中，首先由内部控制电路，将控制电压降低，打开负责上拉的 pmos，同时关闭负责下拉的 nmos. I/o 电路的电容 c_comp，i/o 电路中总的寄生电容，不包括封装部分的寄生电容 芯片封装寄生参数 rlc values，封装寄生参数 由于器件和工艺技术的发展，对于 ramp 曲线的定义和测量，为了适应最新的器件特性要求，在 ibis 版本的更新中不断地得到加强。例如，对 cmos 器件，ramp 曲线实际上是四个，分别在不同的驱动和负载条件下测量。读者要注意到这一点，在阅读 ibis 文件的时候，首先要注意文件的版本号，然后再看当前器件使用的是什么工艺，因为具体的 ibis 数据曲线会根据版本和器件工艺的不同而变化。在我们后面的实际设计例子当中，我们会遇到这个问题 ibis 模型数据曲线数据的获得，需要通过 spice 仿真或者实际测量得到。而对于 ibis 模型数据的测量和最后 ibis 文件的生成，还需要一些特殊的处理，比如各个曲线的电压测量范围选取、对于. 这个简化的电路模型，其工作原理是这样的，负责上拉的 pmos 管和负责下拉 nmos 管，在内部电路的控制信号控制下，分别导通，进行上拉和下拉操作。而当外部 i/o 时，电源钳位和地钳位两个二极管分别导通打开，起到对电路的保护作用。了解了这个电路的工作原理之后，我们可以来看看如何通过测量，来了解 ibis 模型的生成过程 1．上拉（pullup）曲线测量 参照图 5-3（a）在进行上拉曲线的测试中，首先由内部控制电路，将控制电压降低，打开负责上拉的 pmos，同时关闭负责下拉的 nmos 管。这样，pmos 管导通，连接 vcc 和外部 管构成，同时，在 i/o 的接口位置，还有两个钳位二极管 图 5-2 i/o 电路，构成上拉驱动结构. 图 5-3（a pullup 曲线测量时的内部电路结构 进一步，为了能够得到上拉管子的驱动能力（衡量 mos 管的驱动能力，需要考察其源漏极电压差以及输出电流之间的关系），因此需要动态改变施加在 pmos 管上的源漏极之间的电压差，并记录其输出电流，从而获得该 pmos 的源漏电压差和输出电流之间的关系。因此，依照图 5-3（b），在器件外部的 i/o 引脚出搭接动态可调稳压源，通过改变稳压源的电压，起到调节上拉 pmos 管的源漏极压差的作用。在这样的测量条件下，记录一下 i/o 端口上流经的电流，如图 5-3（b）右图所示，这样，我们就得到了一个完整的 pmos 管上的源漏极之间的电压差，并记录其输出电流，从而获得该 pmos 的源漏电压差和输出电流之间的关系。因此，依照图 5-3（b），在器件外部的 i/o 引脚出搭接动态可调稳压源，通过改变稳压源的电压，起到调节上拉 pmos 管的源漏极压差的作用。在这样的测量条件下，记录一下 i/o 端口上流经的电流，如图. 的接口位置，还有两个钳位二极管 ibis 模型简化结构 管和一个下拉的 nmos 管构成，同时，在 i/o ibis 模型数据的测量和最后 c_comp，i/o 电路中总的寄生电容，不包括封装部分的寄生电容 芯片封装寄生参数 rlc values，封装寄生参数 由于器件和工艺技术的发展，对于 ramp 曲线的定义和测量，为了适应最新的器件特性要求，在 ibis 版本的更新中不断地得到加强。例如，对 cmos 器件，ramp 曲线实际上是四个，分别在不同的驱动和负载条件下测量。读者要注意到这一点，在阅读 ibis 文件的时候，首先要注意文件的版本号，然后再看当前器件使用的是什么工艺，因为具体的 ibis 数据曲线会根据版本和器件工艺的不同而变化。在我们后面的实际设计例子当中，我们会遇到这个问题.

Spice 模型仿真结果而来的，并非由实际测量而来。这一点一定要注意。因为从 spice 仿真结果到 ibis 模型的生成过程中，需要进行数据的后处理，例如重新确定数据采样点，修正非单调性等，会掺杂很多人为的因素，因此非常容易出错。而且，有些 spice 模型在仿真的过程中就会出现一些异常情况，这样会直接导致 ibis 模型的数据不准确。所以，si 工程师一定要具备鉴别 ibis 模型质量的能力。这也就是我们花了大量的时间让读者来理解 ibis 模型产生过程的原因。也正因为如此，在较大的公司中，会有专门的人员来对 ibis 模型进行审核和归档，所有进入实际项目使用的 ibis 模型必须通过审核，否则是禁止使用的 spice 仿真结果到 ibis 模型的生成过程中，需要进行数据的后处理，例如重新确定数据采样点，修正非单调性等，会掺杂很多人为的因素，因此非常容易出错。而且，有些 spice 模型在仿真的过程中就会出现一些异常情况，这样会直接导致 ibis 模型的数据不准确。所以，si 工程师一定要具备鉴别 ibis. 模型质量的能力。这也就是我们花了大量的时间让读者来理解 ibis 模型产生过程的原因。也正因为如此，在较大的公司中，会有专门的人员来对 ibis 模型进行审核和归档，所有进入实际项目使用的 ibis 模型必须通过审核，否则是禁止使用的 先快速过一下x100vi的主要参数 4:2:2的6.2k30p（1.23倍裁切）规格，同时也支持4k60p（1.1倍裁切）和无裁切的4k30p。只不过x100vi相比x-t5没有all-intra帧内压缩编码，最高码率是200mbps。根据目前现有的评测来看，过热情况相比上一代改善明显 胶片模拟也是富士机型的一大卖点了，x100vi加入了 gfx100 首先，x100vi最主要的升级点就是传感器换成了x-t5和x-h2同款4020万像素的x-trans五代传感器。新传感器对比老款在画质细节方面肯定是有所提升的，但根据ptp的数据，不管是x-t5还是x-h2，动态范围是略有降低的 影响画质的因素还有镜头，从x100初代到x100f，10年间一直是用的同一款23mm f2祖传镜头。这枚镜头近摄球差十分严重，最大光圈下的成像非常肉，边缘画质低下。上代的x100v采用了全新的23mmf2镜头，一改这些缺点，加强了最近对焦距离，提升了成像锐利度，在四代传感器上的表现还算不错。至于这枚镜头能否发挥新一代四千万像素传感器的优势，或者相比上一代表现是否有明显提升，这里依然是有待观察的。另外x100vi提供了50mm以及70mm焦段的机内数码增距功能。50mm选项下，像素大致还有2000万左右；70mm选项下，像素大致还有1000万，对于网络分享来说也够用了 第二个重要升级是x100vi加入了五轴ibis防抖机构，这也是x100系列首次搭载防抖功能，官方宣传的防抖效果达到了6档防抖水准。防抖的加入能有效提升手持拍摄稳定度，在弱光环境也能尽可能的减少画质损失，算得上是一个重大升级了 外观方面，x100vi相比上一代似乎并没有多大变化，同款的分段上提式的iso/快门旋钮盘，evf/ovf光电混合取景器，键位布局也几乎没有变化，只是前置小拨杆没有了红色点缀. 下图为上一代x100v切换光学取景的效果，供参考 因为加入了防抖机构，x100vi机身厚度相比上一代略有增加，厚了2mm，重量增加了43g，达到了521g，算是在接受范围内吧 x100vi的屏幕依然是前代那种翻折屏 搭载的富士第五代处理器–x-processor 5，能够给相机提供更好的ai识别对焦性能，同时支持heif照片格式（10bit色深），降低功耗，提升处理速度 对焦方面，x100vi继承了新一代富士相机的对焦性能，具有深度学习 ai 算法，支持主体检测 af。除了人脸和眼睛还可以自动检测和跟踪动物、鸟类、汽车、摩托车、自行车、飞机和火车等主体，相比上一代的体验肯定会更好了 上一代x100v的视频性能是比较一般的，最高也只能拍摄8bit 4:2:0的4k30p，而且发热严重，基本上拍个十多分钟就会强制关机了。这次x100vi的视频规格基本上和x-t5是差不多的，最高可以拍摄10bit 4:2:2的6.2k30p（1.23倍裁切）规格，同时也支持4k60p（1.1倍裁切）和无裁切的4k30p。只不过x100vi相比x-t5没有all-intra帧内压缩编码，最高码率是200mbps。根据目前现有的评测来看，过热情况相比上一代改善明显 上一代x100v的视频性能是比较一般的，最高也只能拍摄8bit 4:2:0的4k30p，而且发热严重，基本上拍个十多分钟就会强制关机了。这次x100vi的视频规格基本上和x-t5是差不多的，最高可以拍摄10bit 图 5-3（b pullup 曲线测量时的电路结构 管上拉驱动能力测试曲线。读者需要注意到，外接的扫描电压源的动态扫描范围是-vcc 到 2vcc 之间，为什么？这个问题留给读者思考一下 图 5-1 ibis 模型电路结构 要知道，ibis 模型是用来仿真数字电路行为的。因此，在继续下面的内容之前，读者不妨先来思考一下，在如图. 公司内部得到了广泛的应用，尤其适用于那些没有将 spice 作为仿真工具的部门进行系统级别的仿真，并取得了很大的成功。随着 1993 年，pci 在业界得到了广泛的应用，为了方便客户尽快使用这种技术，intel 总结自己的设计和使用经验，决定联合其他一些 eda 厂商，制定 ibis 标准，将这种新的设计方法在业界进行推广。本着为了保护厂商的知识产权屏蔽电路细节，同时又需要方便用户对电路 i/o 特性进行描述，按照通用电子器件中的 i/o 电路结构，ibis 模型对实际的电路结构进行了抽象，定义了如下的 ibis 模型电路结构，如图 5-1 所示 图 5-1 作为仿真工具的部门进行系统级别的仿真，并取得了很大的成功。随着 1993 年，pci 在业界得到了广泛的应用，为了方便客户尽快使用这种技术，intel.